德國SciDre公司推出的高溫高壓光學浮區爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔可最大壓力可達300Bar，甚以及10 ^-5 mBar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。

耐高溫、耐高壓、高真空、高透光率、拆裝簡便、帶樣品污染保護的石英樣品腔

由德國弗勞恩霍夫應用光學和精密工程研究所優化設計的高反射率鏡面，鏡體位置和角度可由高精度步進馬達控制調節

光闌式光強控制器

   更方便地調節熔區溫度，延長燈泡壽命

仿真化觸屏控制軟件，界面友好，操作簡單

  熔區測溫選件專利測溫技術

可探測熔區和料棒的溫度梯度

多路獨立氣路控制選件   可控制N ₂ 、O ₂ 、Ar、空氣等其他的流量和壓力， 并可對氣體進行比例混合與熔區進行反應

氣體除雜選件

可使高壓氬氣中的氧含量達到10 ^-12ppm

退火選件

可對離開熔區的單晶棒提供最高1100℃退火溫度和高壓氧環境并可定制退火溫度梯度

熔區溫度

最高 2000 - 3000 ℃以上

熔區壓力

最大 10 、 50 、 100 、 150 、 300 bar 可選

熔區真空

1*10 -2 mbar 或 1*10 -5 mbar 可選

熔區氣氛

Ar 、 O ₂ 、 N ₂ 等可選

氣體流量

0.25 – 1 L/min 流量可控

氙燈功率

3kW 至 15kW 可選

料棒臺尺寸

6.8mm 或 9.8mm 可選

拉伸速率

0.1-200 mm/h

調節速率

0.6 mm/s

拉伸尺寸

最大 195mm

旋轉速率

0-150 rpm

用電功率

400V 三相 63A 50Hz

水冷功率

大于 8kW

主機尺寸

302cm*163cm*92cm